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sE Electronics DM2 TNT

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新品 12578円 (税込)
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商品詳細情報

管理番号 新品 :Z9296115700
中古 :Z92961157001
メーカー sE 発売日 2025/02/16 16:28 定価 12578円
原型 友坂佳乃
カテゴリ

sE Electronics DM2 TNT

パッシブ・マイクに爆発的なレベルを!【製品概要】DM2TNTは、ポッドキャスティング、レコーディング、ライブサウンドに最適な、アクティブ・インライン・プリアンプです。あらゆるパッシブ・マイク(ダイナミック/リボン)にマッチする超ハイインピーダンス入力と8つのロード設定を備え、中程度の+15dBもしくは爆発的な+30dBのゲインアップをもたらします。洗練されたクラスA設計と、厳選された高品位なFETが採用されているDM2の出力インピーダンスは非常に低く、市販されている他の製品のノイズの半分近くとなります。また、8段階のインピーダンス設定とバッファアンプにより、接続負荷に関係なく常に安定したゲインを得ることができます。DM2は、干渉の可能性を抑えながら、ノイズや色付けを加えることなく、パッシブ・マイクからの信号をブーストします。スリムでありながら酷使にも耐えられるよう設計された金属製のシャーシ、堅牢な構造、そして高い製造管理基準により、要求の厳しいステージにおいても信頼性が確保されています。最適な結果を得るため、DM2はマイクの出力に直接接続することを推奨します。必要に応じ、マイクとDM1との間にケーブルを使うことができますが、その長さが短ければ短いほど全体的な性能は向上します。中程度の+15dBから爆発的な+30dBまで、クリーンで安定したゲイン設定が可能・ニュートラルでバランスのとれたサウンドクオリティのための設計・あらゆるマイクにマッチングできるよう、50Ωから10MΩまでの8つのロード設定が可能・2つのゲインレベル設定により、多様なソースに柔軟に対応・ロードインピーダンスやケーブル長に関係なく、信号を徹底的にブースト洗練されたクラスA電子回路・洗練されたクラスA電子回路とハイグレードのFETが超低ノイズを実現・ソース本来の音質に忠実なトランスレス設計・クラス内で最も低ノイズ専用の出力バッファアンプ・ロードインピーダンスやケーブルの長さとは関係なく+15dB/+30dBの出力を提供・極めて低い出力インピーダンス・ケーブルを長く這わした場合でも、RF干渉、バズ、ハム等の影響を軽減スリムでしっかりした金属製の筐体とプレミアムな仕上げ・あらゆる電気的干渉およびノイズを効率的に排除・高い品質の仕上げと金メッキされたXLRコネクタにより、信頼性の高い信号接続を実現・スリムなデザインにより、スタジオやステージで簡単にセッティングが可能仕様周波数レンジ10Hz-120,000Hz(-0.3dB)ゲイン15dB/30dB最大出力レベル(0.5%THD)9.5dBV(3.0V)出力ノイズレベル1μV@15dB/6.6μV@30dB動作電源ファンタムパワー48V(IEC61938準拠)*インピーダンス135Ω推奨負荷インピーダンス1kΩ以上消費電流3.1mAコネクタXLR3ピン外形寸法19mm(直径)x95.5mm(長さ)本体重量80g*ご注意ください・DM2は、パッシブ・マイク(ダイナミックやリボン)用の製品です。ファンタム電源を必要とするマイク(コンデンサーやアクティブリボン)にはお使いいただけません。・DM2を駆動させるためには、48Vファンタム電源を供給するプリアンプ/ミキサー/オーディオインターフェイスが別途必要です。

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